BALLUFF傳感器量程影響因素介紹說明

BALLUFF傳感器的量程與哪些因素有關(guān)？
BALLUFF傳感器是外界的壓力（或拉力）引起應(yīng)變材料的幾何形狀（長度或?qū)挾龋┌l(fā)生改變，進而導致材料的電阻發(fā)生變化。檢測這個電阻變化量可以測得外力的大小。壓阻式壓力傳感器通常是半導體壓敏材料。半導體壓阻式傳感器在受到外力后，自身的幾何形狀幾乎沒有什么改變，而是其晶格參數(shù)發(fā)生改變，影響到禁帶寬度。禁帶寬度哪怕是非常微小的改變，都會引起載流子密度很大的改變，這最終引起材料的電阻率發(fā)生改變?？梢妰煞N材料雖然都對外力變化呈現(xiàn)出電阻的變化，但原理不同。另外，應(yīng)變式材料對外力的敏感度遠遠低于半導體壓阻材料，后者的靈敏度是前者的約100倍；應(yīng)變材料特性受溫度影響較小，而半導體壓阻材料對溫度敏感。

BALLUFF傳感器主要由兩個半環(huán)形磁鋼組成的梯度磁場和位于磁場中心的鍺材料半導體霍爾片（敏感元件）裝置構(gòu)成。此外，還包括測量電路（電橋、差動放大器等）及顯示部分。是兩個結(jié)構(gòu)相同的直流磁路系統(tǒng)共同形成一個沿x 軸的梯度磁場。為使磁隙中的磁場得到較好的線性分布，在磁極端面裝有特殊形式的極靴。用它制作的位移傳感器靈敏度很高?；魻柶糜趦蓚€磁場中，細心調(diào)整它的初始位置，即可使初始狀態(tài)的霍爾電勢為零。它的位移量較小，適于測量微位移和機械振動等。當霍爾元件通以恒定電流時，在其垂直于磁場和電流的方向上就有霍爾電勢輸出?；魻栐谔荻却艌鲋猩?、下移動時，輸出的霍爾電勢V 取決于其在磁場中的位移量x。測得霍爾電勢的大小便可獲知霍爾元件的靜位移。